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書き換えサイクル試験の結果(左)と電圧抵抗特性(右)。TSMCなどの共同研究グループが2022年6月に国際学会VLSIシンポジウムで公表したスライドから(講演番号T11-3)
福田昭のセミコン業界最前線
次世代マイコンへの搭載を狙う長寿命の抵抗変化メモリがIMW 2022に続出
2022年6月27日
VLSIシンポジウムに速度を6割高めたHBM DRAMやレンズレスの超薄型カメラなどが登場
2022年5月31日
次世代プロセス「Intel 4」などがVLSIシンポジウムで発表へ
2022年5月27日
東北大、読み書きが同時に可能なデュアルポート型SOT-MRAMセルアレイの動作実証に成功
2020年6月18日
方向転換を迫られる強誘電体不揮発性メモリの研究開発
2019年12月23日
6層のクロスポイントと1Znm技術で実現する1Tbitの超大容量不揮発性メモリ
2019年6月12日
高速/長寿命でオンチップSRAMキャッシュの置き換えを目指す第4世代MRAM技術
2018年10月1日
「次世代」が外れた最新不揮発性メモリ「MRAM」の製品と技術
2023年5月30日