SOT方式のMRAMセル。左上は立体構造図。FLは自由層。HMは重金属。左下は長所(Pros)と短所(Cons)。右下は書き込み動作と読み出し動作の概念。TSMCなどの共同研究グループが2022年6月に国際学会VLSIシンポジウムで公表したスライドから(講演番号T11-3)
