埋め込みフラッシュの設計ルール(F)とメモリセル面積(Fの2乗で換算した値)。主な国際学会での発表値を基に筆者がまとめたもの。ちなみに28nm世代の「45」は2017年にSamsung Electronicsが国際学会VLSIシンポジウムで発表した値(一部推定を含む)
