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試作したCNT抵抗素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像。IMW2021で富士通グループとNanteroが共同発表した論文から
福田昭のセミコン業界最前線
MicronがDRAM開発の新たなロードマップを示す
2020年5月27日
方向転換を迫られる強誘電体不揮発性メモリの研究開発
2019年12月23日
再び勢いを増した次世代メモリの研究開発
2019年5月15日
連載福田昭のセミコン業界最前線
富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(後編)
2016年9月26日
富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(前編)
2016年9月15日
富士通セミコンとNantero、カーボンナノチューブを利用した次世代不揮発性メモリ「NRAM」開発で協業
2016年9月2日
高密度の埋め込みフラッシュ技術をSamsungとGFがIMW 2021で発表
2021年6月28日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
国際メモリワークショップ、高密度化の限界に挑む3D NANDフラッシュ技術
2023年5月8日