富士通セミコンとNantero、カーボンナノチューブを利用した次世代不揮発性メモリ「NRAM」開発で協業

NRAM

　富士通セミコンダクター株式会社および三重富士通セミコンダクター株式会社は8月31日、米Nanteroのカーボンナノチューブを利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに、55nmテクノロジーでの商品化に向け、3社で共同開発することで合意したと発表した。

　NRAMは、カーボンナノチューブ(CNT)を利用した不揮発性メモリ。組み込みFlashメモリ比で数千倍の書き換え耐性、DRAM相当の速度、DRAM以上の密度を実現するとされ、Nanteroによれば、5nm未満までスケーリングが可能であるという。

　製造は三重富士通セミコンダクターが請け負う形となり、ファウンドリ顧客向けにNRAMベースの技術を提供する予定で、富士通セミコンダクターは、2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化を目指すとしている。

　単体NRAM製品については、前述の混載カスタムLSI商品化以降にラインナップを予定する。

NRAMの構造