フローティングゲート方式の3D NANDセルトランジスタ構造(左)とチャージトラップ方式(リプレイスメントゲート(RG)方式)の3D NANDセルトランジスタ構造(右)。RG方式はチャンネルの直径をエッチングの加工寸法よりも短くできる。Micronが2020年に発行したホワイトペーパー「Micron Transitions to Next Generation 3D NAND Replacement-Gate Technology」から
