Samsungが第7世代(V7)の3D NAND技術によって試作した512Gbitフラッシュメモリの概要。左はシリコンダイ写真。メモリセルアレイの左右端部に周辺回路らしき影がうっすらと見える。右の表は試作したシリコンダイの基本性能。表中で左の「ISSCC2019」はSamsungが第6世代(V6)の3D NAND技術によって試作した512Gbitチップ、右の「This Work」は今回の第7世代(V7)技術によって試作した512Gbitチップ。Samsungが2021年2月に国際学会ISSCCで発表したスライドから(講演番号30.3)