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最先端3D NANDフラッシュメモリの共通技術。ISSCC2021の発表などをもとに筆者がまとめた
キオクシアとWD、ライト性能が約2.4倍向上した第6世代3D NANDフラッシュ
2021年2月19日
Micron、世界初の176層NANDフラッシュを出荷
2020年11月11日
福田昭のセミコン業界最前線
Intelが世界最高密度の3D NANDフラッシュを試作
2020年6月1日
3D NANDフラッシュの技術開発を先導し始めた東芝-WD連合
2019年3月18日
Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
2018年8月13日
IntelとMicronが歩んだNANDフラッシュ連合の始まりと終わり
2018年1月22日
キオクシア、3D NANDフラッシュで6bit/セルの超多値記憶を確認
2021年7月27日
キオクシア、QLC技術を用いたUFS 3.1対応512GBの組み込みフラッシュを試作
2022年1月19日
Intel、IBM、AMDが次世代プロセッサの技術概要をISSCC 2022で披露
2022年2月3日
SK hynix、世界最高の238層TLC 4D NAND
2022年8月4日
1mm角のシリコンに15Gbitを詰め込む超々高密度の3D NANDフラッシュ技術
2022年9月29日
