1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術(1/20)

ワード線の積層数が100層を超える超高層3D NANDフラッシュメモリの開発(試作)例。半導体回路技術の国際学会「ISSCC」の発表論文から筆者がまとめた