Intelが2019年9月26日にイベント「Intel Memory & Storage Day」で発表した3D NANDフラッシュメモリの最新ダイ。ワード線の積層数は96層と高層化しているにも関わらず、記憶容量は512Gbitとそれほど大きくない(多値記憶方式はTLC方式)。シリコンダイ面積を84平方mmと小さくすることが優先されたと見られる
