IntelとMicron Technologyの連合が共同開発した64層の3D NANDフラッシュメモリ。メモリセルアレイと周辺回路を重ねる3次元積層技術(CUA技術)によって4.3Gbit/平方mmと高い記憶密度を達成した。左はシリコンウエハーの写真、中央は製品化した256Gbit品のシリコンダイ写真、右はメモリセルアレイの断面を電子顕微鏡で観察した画像。CMOSの周辺回路をメモリセルアレイの下にレイアウトしている。Micron Technologyが2017年2月にアナリスト向け説明会で発表したスライドから