3D NANDフラッシュメモリの開発における48層から64層への変化。ワード線(ゲート層)を薄くするとともに、ワード線の間隔を狭くした(ゲート層間の絶縁膜を薄くした)。Samsung ElectronicsがISSCC 2017(2017年2月)で発表した講演のスライドから
