エルピーダメモリ株式会社は22日、25nmプロセスを採用した4GbitのDDR3 SDRAMを開発完了したと発表した。エルピーダでは世界初とともに、4GbitのDRAMとして世界最小のチップサイズとしている。

　従来の30nmプロセス4Gbit DDR3 SDRAMと比較して、1枚のウェハあたりの取得数が約45%増加し、低コストで生産できるという。また、動作電流を25～30%、待機電流を30～50%低減しつつ、ピンあたり1,866Mbps以上のデータ転送レートを実現した。動作電圧は1.5V、低電圧版の1.35V。

　サンプル出荷および量産開始は2011年12月を予定している。