SK hynix、8Gbps対応の1cプロセス製造DDR5を2025年に量産

　韓国SK hynixは29日(現地時間)、業界初となる第6世代10nm級のプロセスノード“1c”を採用した16Gb DDR5を開発したと発表。2025年に量産開始するとしている。

　10nm級のDRAM製造は微細化を進めるとともに難易度が向上するとしているが、SK hynixは第5世代の“1b”で設計完成度を高め、技術的限界を克服、業界をリードしてきたという。1cでは10nmに近づくメモリ製造技術において究極のスケーリングの始まりになるという。

　1cでは潜在的なエラーを減らし、1bのメリットを生かすために1b DRAMプラットフォームを拡張。EUV露光における特定の工程に新しい素材を導入するとともに、全体をEUVに最適化することで生産性が30%向上し、従来と比較して競争力を高めた。

　また、1cのDDR5は転送速度は前世代から11%向上し8Gbpsに達する。電力効率が9%改善するとしており、データセンターが採用すれば電力コストを最大30%削減できると期待している。