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0.1μm以下の製造プロセスに対応した半導体製造装置を試作
米Intelは11日(現地時間)、米国半導体業界ならびに米国政府関連団体が、「EUV」露光技術に対応した、半導体製造装置の試作機が完成したと発表した。 今回発表された試作機は「ETS」(Engineering Test Stand)と呼ばれ、米エネルギー省管轄の3つの研究所と、半導体企業(Intel、Motorola、AMD、Micron、Infineon、IBMなど6社)によって組織された「EUV LLC」(EUV Limited Liability Company)による、官民協業で開発された。 「EUV」は、Extreme UltraViolet(極紫外線)の略で、半導体設計回路をマイクロチップに転写する露光技術を、さらに微細化する技術。この技術により、現在最高水準のマイクロプロセッサよりも速度が10倍以上、メモリなどの記憶容量は10倍以上に達する見込み。 今後数年内に物理的限界に達すると言われる従来の露光技術では、0.1μmの微細回路の製造まで対応できると予測されているが、「EUV」技術を用いることにより、0.03μm程度までの製造が可能になるという。これにより、今後10年間は現在の半導体技術革新のペースを維持できるとしている。 また、2005年～6年頃には動作周波数が10GHzを超えるプロセッサの登場が期待されている。
□Intelのホームページ(英文) (2001年4月13日)
[Reported by yosida-s@impress.co.jp] |
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