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Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発

〜トランジスタ不要の「3D XPoint」技術

「3D XPoint」の構造図

 米Intelは28日(現地時間)、Micron Technologyとの共同研究により、全く新しい不揮発性メモリ「3D XPoint」を開発、量産を開始したと発表した。

 不揮発性メモリとしては現在主流のNAND登場以来、25年ぶりとなる新構造を採用しており、NANDと比較して最大1,000倍の高速化と耐久性向上が見込めると言う。

 3D XPointは10年以上の研究開発期間経てゼロから開発、実用化に至った技術であり、トランジスタを使用しない独自の「クロスポイント・アーキテクチャ」を採用する。ワード線とビット線の交差部分にメモリセルを配置する3Dチェッカーボードを作成できるため、メモリセルへの個別アクセスが可能となる。

 クロスポイント配列構造は、コンダクタが垂直に配置され、1,280億のメモリセルと接続される3次元の高密度設計で、DRAMの10倍の集積度となる。現時点ではメモリセルが2層構造になっており、ダイあたり128Gbitのデータを格納できる。将来的には積層数を増やして、容量のさらなる向上が可能とのこと。

 トランジスタが不要なのは、メモリセルがセレクタから送られるさまざまな電圧でリード/ライトできるためで、これにより大容量化と低コスト化を実現。

 Intelは今年後半に3D XPointを採用した製品サンプルを出荷予定としており、その高速性や集積度の高さなどから、マシンラーニングやパターン分析、遺伝子解析といった大規模データの高速処理に期待が持てるとするほか、8Kでのゲームといったエンターテイメント分野でのアプリケーションの創出を促進させるだろうとしている。

「3D XPoint」のダイ
3D XPoint Technology Revolutionizes Storage Memory
Intel Micron Webcast

(中村 真司)