Samsung、1,066MHz動作を実現する4バンク構成の576Mbit RDRAM

9月28日(現地時間) 発表


　Samsung Electronicsは28日(現地時間)、576Mbit RDRAMを開発、2002年の第2四半期から量産開始すると発表した。製造プロセスが0.12μmに微細化されたことにより、ウェハあたりの生産性が47%向上し、より低コストで生産できるという。

　新たに開発された4バンク構成の576Mbitチップでは、従来品の800MHzより高速な1,066MHz動作が可能となった。また、従来のRIMMでは、2枚セットでメモリスロットに挿す必要があったが、新チップを搭載したモジュールでは1枚のRIMMで利用できるようになる。

□Samsungのホームページ(英文)
http://www.samsung.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.samsung.com/news/samsung/2001/samsung0928-20010928105642.html
□関連記事
【2000年7月21日】【海外】Samsungが低コストデザインのRDRAMと、次世代高速RDRAMを来年投入
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/article/20000721/kaigai01.htm
【3月1日】【海外】IntelやDRAMベンダーがRDRAMシステムの低コスト化案を発表
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/article/20010301/kaigai01.htm

(2001月9月28日)

[Reported by usuda@impress.co.jp]

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