IBM ResearchがCFET向けに開発した、900℃を超える高温処理に耐えるSiGeナノシートpチャンネルFETの概要(講演番号T5.4)。2026年4月28日に東京で開催された記者会見の資料から

IBM ResearchがCFET向けに開発した、900℃を超える高温処理に耐えるSiGeナノシートpチャンネルFETの概要(講演番号T5.4)。2026年4月28日に東京で開催された記者会見の資料から