TSMCの16AやIntelの高性能版18Aなどの先端CMOSが披露されるVLSIシンポジウム(6/12)

Samsung Electronicsが開発した、ナノシート3層構成のFETを積層するCFETの概要(講演番号T1.1)。2026年4月28日に東京で開催された記者会見の資料から