TSMCがCFET技術で試作したリング発振器の回路図(講演番号2-5)。右下の画像はCFET回路の断面を電子顕微鏡で観察した画像。画像中に「NCI(Nanosheet Cut Isolation)」とあるのは隣接するCFETの素子分離領域。IEDMの実行委員会が報道機関向けに配布した資料から
