微細化の壁を超える“次のCMOS構造”。TSMCが挑む極限技術「CFET」(8/8)

TSMCがCFET技術で試作したSRAMセルのバタフライ曲線(講演番号2-5)。電源電圧を上げると雑音余裕が増加する。IEDMの実行委員会が報道機関向けに配布した資料から