321層の3D NANDフラッシュ(V9 3D NAND)の展示。左がTLC方式の1Tbitシリコンダイを作り込んだウエハー(ここには一部しか見えていないがウエハー全体を展示していた)。右上は最初に開発したTLC方式の1Tbitダイ(従来パッケージに封止)、右中はQLC方式の採用によって記憶容量を2Tbitに拡大したメモリ(小型パッケージに封止)。右下はTLC方式でも入出力データの最大速度を3.6Gbit/sに高めたメモリ(右上の1Tbit品は最大2.4Gbit/s)。SK hynixの展示ブースで筆者が2024年8月7日に撮影したもの