HBI技術によって接続したシリコンダイとシリコンウェハの断面を走査型電子顕微鏡で観察した画像。左は全体像。右は接続部の拡大像。白い部分が金属電極を示す。画像右下は「2μm」の目盛り。IntelがECTC 2024で発表した論文から(論文番号2.3)
