強誘電体メモリセル(1T1Cタイプ)のアレイ層を2つ重ねた32Gbitの大容量不揮発性RAMをMicron Technologyが試作した(論文番号15.7)。CMOS周辺回路領域の上にメモリセルアレイを積み重ねることによって記憶密度を高めた
