10nm未満(サブ10nm)の技術ノードに向けた縦型チャンネルのDRAMセルトランジスタ技術をSamsung Electronicsが開発した(論文番号6.3)。チャンネル材料には酸化物半導体のIGZOを採用した。コア回路トランジスタ層と周辺回路トランジスタ層の上にDRAMセル用の縦型チャンネルトランジスタをモノリシック集積している
