1個のセレクタと1個の磁気トンネル接合(MTJ)によってSTT-MRAMセルを構成し、セルアレイをクロスポイント配置した埋め込みメモリをTSMCが開発した(論文番号21.5)。16nmと微細な加工技術によってメモリセルアレイを試作している
