2次元材料をnチャンネルFETとpチャンネルFETの両方に採用したCMOS回路をTSMCが試作した(論文番号10.1)。nチャンネルFETのチャンネル材料は二硫化モリブデン(MoS2)、pチャンネルFETのチャンネル材料は二セレン化タングステン(WSe2)である。いずれのFETもサファイア基板で作成した。ダイごとにシリコンウェハに転写することで両者をサイドバイサイドで接続し、それからシングルチップとして切り出している
