2,000名近い参加者と過去最高の投稿件数を集めた国際電子デバイス会議(IEDM)(13/24)

3次元スタック技術(トランジスタレベル)の注目論文。TSMCはゲートピッチが48nmと短いCFETを試作した。ｐチャンネルFETの上にnチャンネルFETを積層している(論文番号29.6)