2,000名近い参加者と過去最高の投稿件数を集めた国際電子デバイス会議(IEDM)(12/24)

3次元スタック技術(トランジスタレベル)の注目論文。Intelが3個のpチャンネルFETの上に3個のnチャンネルFETをモノリシック積層し、CMOSインバータを試作した(論文番号29.2)