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3D NANDフラッシュメモリの高密度化手法(現在)。主に4つの手法がある
福田昭のセミコン業界最前線
Western Digitalが明らかにする3D NANDフラッシュの「不都合な真実」
2023年8月28日
1mm角のシリコンに15Gbitを詰め込む超々高密度の3D NANDフラッシュ技術
2022年9月29日
3D NANDフラッシュの高密度化を側面支援する「第3」のスケーリング
2019年8月21日
3D NANDフラッシュの技術開発を先導し始めた東芝-WD連合
2019年3月18日
2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
2024年1月5日
