Intelが試作した、5bit/セル(PLC)方式の多値記憶技術を採用した3D NANDフラッシュメモリ。シリコンダイ当たりの記憶容量は1.67Tbitと過去最大である。左がダイ写真。右は試作ダイの概要。2023年2月に開催された国際学会ISSCCでIntelが講演したスライドから(講演番号28.1)
