開発した第8世代(BiCS8)3D NANDフラッシュメモリの概要。ワード線(メモリセル)の積層数は218層、多値記憶方式はTLC、シリコンダイの記憶容量は1Tbitである。性能は推定値。WDが基調講演で発表したスライドから
