次世代トランジスタと次世代3D NANDを実現するデバイス・プロセス技術【VLSIシンポジウム前日レポート】(16/20)

東京エレクトロン宮城が開発した、400層以上の3D NANDフラッシュメモリに向けたメモリチャンネルホール超高速エッチング技術(番号T3-2)。2023年4月25日に開催された記者会見の資料から