次世代トランジスタと次世代3D NANDを実現するデバイス・プロセス技術【VLSIシンポジウム前日レポート】(12/20)

TSMCなどの共同研究グループが開発した2次元材料トランジスタ向け低抵抗コンタクト技術(番号T1-4)。2023年4月25日に開催された記者会見の資料から