3nm世代のロジック用GAA FET(MBC FET)と4nm/8nm世代のロジック用FinFETを比較(発表番号8A.1)。左(Figure1)はBTI(バイアス温度不安定性)によるしきい電圧の変化。右(Figure4)は自己発熱による温度上昇(a)とHCI(ホットキャリア注入)特性(b)。IRPS 2023のWebサイトから
