Intelが開発した統合劣化モデルによるシミュレーション結果と試作シリコンの測定結果(発表番号4B.2)。左と中央はインバータ回路の動作周波数が経時劣化する様子、右はNAND回路とNOR回路の動作周波数が経時劣化する様子。IRPS 2023のWebサイトから

Intelが開発した統合劣化モデルによるシミュレーション結果と試作シリコンの測定結果(発表番号4B.2)。左と中央はインバータ回路の動作周波数が経時劣化する様子、右はNAND回路とNOR回路の動作周波数が経時劣化する様子。IRPS 2023のWebサイトから