「Intel 4」で製造したSRAMセルの最小電圧(左)とレイアウト(右)。累積確率90%で定義すると、高密度(HDC)セルの最小電圧は0.600V、高電流(HCC)セルの最小電圧は0.550Vである。Intelが2022年6月に国際学会VLSIシンポジウムで公表したスライドから(講演番号T01-1)
