前の画像
次の画像
記事へ
マイコンやSoCなどが内蔵する、プログラムコード格納用不揮発性メモリ(埋め込み不揮発性メモリ)の比較。書き換えサイクル回数とデータ保存時間は製品の仕様(筆者による推定を含む)
福田昭のセミコン業界最前線
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ
2018年8月8日
フラッシュマイコンの置き換えを狙うMRAMマイコン
2018年7月30日
微細化と高密度化の限界に挑むマイコン/SoCの埋め込みフラッシュ
2018年7月23日
TSMCが次世代不揮発性メモリの研究成果を大量放出
2022年7月29日
国際メモリワークショップ、高密度化の限界に挑む3D NANDフラッシュ技術
2023年5月8日
AI向け3次元DRAMやキャパシタレスDRAM技術などが目白押し。国際メモリワークショップ開催へ
2024年5月8日
次世代のDRAM技術を模索する国際メモリワークショップ(IMW)
2024年8月23日