VLSI技術シンポジウム、次世代のトランジスタ技術と不揮発性メモリ技術を展望(21/24)

CMOSイメージセンサに貼り合わせ積層するメモリバッファ用埋め込みSTT-MRAM(ソニーセミコンダクタソリューションズ、講演番号T2-5)。出典:VLSI技術シンポジウム委員会