VLSI技術シンポジウム、次世代のトランジスタ技術と不揮発性メモリ技術を展望(16/24)

8層のGeSiナノシート構造と7層のGeSiナノワイヤ構造の高性能トランジスタ(National Taiwan Univ.、講演番号15-2)。出典:VLSI技術シンポジウム委員会