VLSI技術シンポジウム、次世代のトランジスタ技術と不揮発性メモリ技術を展望(15/24)

2次元(2D)材料をチャンネルとするp/nチャンネルMOS FET技術(Intel、講演番号T2-3)。出典:VLSI技術シンポジウム委員会