メモリスルーホールを2つに分割してセルトランジスタを2倍に増やすメモリセル技術(「3D Semicircular Flash Memory Cell」)のセルトランジスタ構造図(メモリスルーホールに対して垂直に切った断面)。電荷蓄積(CT)技術の場合。キオクシアとWDが2019年12月に国際学会IEDMで発表した論文(論文番号28.1)から
