CFETで3トラックのスタンダードセルを構成したときの断面構造(左)と、FinFETと比較したレイアウト(右)。レイアウトは、上がAOI(AND OR INVERT)211ゲート、下がフリップフロップ。左のレイアウトが6トラックのFinFET回路、右のレイアウトが3トラックのCFET回路。CFET回路のスタンダードセルでは、FinFETに比べるとシリコン面積が半分で済む。なおCFETのスタンダードセルでは、電源配線が基板に埋め込まれている。imecを中心とする研究グループが2018年6月に国際学会VLSI技術シンポジウムで発表した論文(T13-3)から