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相変化メモリ(PCM)の記憶素子。カルコゲナイド合金と加熱用ヒーターで構成される。2端子素子である
福田昭のセミコン業界最前線
Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術
2018年12月17日
Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAMを開発
2018年12月6日
パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ
2018年8月8日
フラッシュマイコンの置き換えを狙うMRAMマイコン
2018年7月30日
微細化と高密度化の限界に挑むマイコン/SoCの埋め込みフラッシュ
2018年7月23日
再び勢いを増した次世代メモリの研究開発
2019年5月15日
2020年も半導体はおもしろい(後編)
2020年2月3日
世界最小のメモリセルで最先端マイコンの低価格化を牽引する相変化メモリ
2021年1月25日