Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術(9/13)

-40℃(上)と+150℃(下)における書き換え寿命特性。横軸は書き換え回数、縦軸は不良率。GLOBALFOUNDRIESがIEDMで発表した論文から