埋め込みMRAMのコンセプト(左)と、実際に試作したメモリセルの断面を電子顕微鏡で観察した画像(右)。金属配線工程の途中に記憶素子(磁気トンネル接合)を形成するので、トランジスタ技術を自由に選べるという特長を有する。SamsungがIEDMで発表した論文から
