セルトランジスタのしきい電圧の分布と多値記憶方式の関係。グラフの縦軸はセルの数、横軸は電圧。グラフは上から、QLC(4bit/セル)、TLC(3bit/セル)、MLC(2bit/セル)、SLC(1bit/セル)の順。QLCではSLCに比べると、セルトランジスタのしきい電圧を非常にせまい範囲に制御しなければならないことがわかる。SSDコントローラベンダー大手のSilicon Motionが2017年8月にイベント「Flash Memory Summit(FMS)」で発表したスライドから
