Intel、300mmウェハ上で0.13μmプロセスでの半導体製造を発表

Intel、300mmウェハ上で0.13μmプロセスでの半導体製造を発表

3月28日(現地時間発表)

　Intelは3月28日(現地時間)、米オレゴン州にある300mmウェハ対応の「D1C」量産開発Fabで、300mmウェハ上で0.13μmプロセスでの半導体製造に成功したことを発表した。

　同社では「300mmウェハは、従来の200mmウェハと比べ、シリコンウェハの有効表面積が2.25倍となり、ウェハあたりに製造されるチップの数が2.4倍になる。また、製造コストも30%削減されると期待している。さらに、0.13μmプロセスに微細化することで、生産量が4倍に増やせる」と説明している。

　なお、300mmウェハを採用したチップが市場へ投入されるのは、来年初めの見込み。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20010402corp.htm
□関連記事
【2000年12月27日】後藤弘茂のWeekly海外ニュース
PC市場の必要量より多い? Intelの0.13μmプロセス生産計画
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/article/20001227/kaigai01.htm

(2001年4月3日)

[Reported by yosida-s@impress.co.jp]

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