米Intel、0.03μmのCMOSトランジスタを開発
--5～10年内に10GHzのプロセッサを製造可能に

12月11日(現地時間) 発売


Manufacturing Process Evolution
　米Intelは、11日(現地時間)、サンフランシスコで開催されているInternational Electron Devices Meetingで、0.03μmのCMOSトランジスタを開発したことを発表した。

　今回発表されたトランジスタのゲート長は0.03μm(30nm)で、現在の0.18μmプロセスで製造しているトランジスタのゲート長0.13μmから、大幅に小さくなっている。プロセスルールでいえば0.07μmルールに相当する。Intelでは2005年にこの技術を用いたプロセッサを発表するロードマップを公開し、今後5～10年以内に1V以下で駆動する10GHzのプロセッサを開発するとしている。

　同社副社長、技術・製造本部長のサンリン・チョウ博士は「今回の技術を利用することで、これからもマイクロプロセッサの高性能化、ならびに低価格化を図っていく。これまでシリコン技術の限界と考えられてきた領域にまで達したことで、ムーアの法則がこの先も有効であることを証明できた」と説明している。


□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/cn121100.htm
□ニュースリリース(和訳)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2000/001212a.htm
□Intel Technology Briefing(PDF)
http://www.intel.com/research/silicon/30nmpress.pdf

(2000年12月12日)

[Reported by usuda@impress.co.jp]

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