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インテル、0.13μmプロセスの技術説明会を開催
13日 開催
今回の発表は0.13μm設計ルールによるSRAMとプロセッサを実際に製造し、0.13μm技術を実証したことに意義がある。製造したプロセッサのクロックは、「現行の製品と同程度で、2～3GHzではない」という。 0.13μmプロセスの最大の特徴は、Intelの主要製品としては初めて銅配線技術が採用されることだ。また、ゲート長が短くゲート酸化膜が薄いことにより、高集積かつ高速な動作が可能なこと、1.3V以下の低電圧で動作可能で低消費電力化がはかれることなどが特徴とされている。
0.13μmプロセスの製造ラインは、当初は2001年第一四半期にオレゴンのFab 20でラインを立ち上げる。0.13μmプロセスの立ち上げ時期では台湾のTSMCが2001年3月としているが、それより遅れることはないとしており、実用ラインとしては一番手となる可能性が高い。 以後、順次Fabが追加され、2003年には全部で15あるIntelのFabのうち9つで製造し、現行の0.18μmプロセスとシェアが入れ替わるのは2002年の半ばとしている。 なお、2001年の投資金額については、2000年の60億ドルと同水準に留まるとし、一部で予測されていた投資金額の増大を否定した。
今回の発表では、0.13μmプロセスを採用する製品名などは明らかにされなかったが、0.13μm版P6コアの「Tualatin」や、0.13μm版Pentium 4の「Northwood」などが予測されている。
□インテルのホームページ (2000年11月13日)
[Reported by date@impress.co.jp] |
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